在芯片要进入3nm制程时，三星与台积电似乎出现了分歧，三星表示在3nm时要使用GAAFET晶体管，而台积电则表示将继续使用当前的FinFET晶体管。
FinFET晶体管其实是英特尔在2011年提出来的，当时使用在22nm的芯片上，后来台积电、三星均跟进，在14nm/16nm时使用FinFET晶体管，一直用到了现在。
而在FinFET晶体管之前，大家使用的是平面型MOSFET。那么每一代晶体管技术相比于前一代，究竟有什么进步呢？一方面是可以大幅缩短晶体管的栅长，这样让芯片制程更先进。
另外一方面则是更先进的晶体管，需要的电压更低，这样可以大幅改善电路控制并减少漏电流（leakage），降低功耗，因为漏电流产生的功耗，其实就是芯片的静态功耗，甚至占到了芯片功耗的50%以上。
不过大家也要注意一个情况，那就是FinFET晶体管，虽然英特尔在2011年就提出来了，但国内其实是在中芯实现了14nm工艺的量产时，才掌握了这一技术，毕竟在28nm时，还没有用到FinFET晶体管。
但虽然掌握了这一项技术，国内却一直没有建成一条完整的FinFET生产线，大规模的使用FinFET技术来生产芯片。
不过近日，国内首条FinFET生产线，终于要来了，那就是中芯位于上海的中芯南方SN1项目，总投资是90.59亿美元，规划月产能 3.5 万片，这是中国大陆第一条 FinFET 工艺生产线，也是中芯国际 14 纳米及以下先进工艺研发和量产的主要承载平台。
并且这一条FinFET生产线，可不仅仅是只生产14nm的芯片，是可以一直用到5nm的，甚至如果中芯如果跟随台积电的脚步，在3nm时使用FinFET晶体管的话，使用到3nm都可以。
不知道大家对于这条生产线怎么看？当然，现在中芯因为“实体清单”的原因，10nm及以下的芯片制造设备被禁，但相信只要努力坚持，会有办法解决的，你觉得呢？
